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DMS2220LFW
Q1, P-CHANNEL MOSFET - Continued
0.14
0.12
0.14
0.12
0.1
0.1
T A = 125°C
T A = 150°C
0.08
V GS = -1.8V
0.08
0.06
0.04
0.02
0
V GS = -2.5V
V GS = -4.5      V
0.06
0.04
0.02
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
1
2 3 4 5 6 7
8
0
1
2 3 4 5 6 7
8
1.6
1.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -2.5V
0.11
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
I D = -2A
0.09
1.2
V GS = -4.5V
I D = -5A
V GS = -2.5V
I D = -2A
0.07
1.0
V GS = -4.5V
I D = -5A
0.8
0.6
0.05
0.03
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10,000
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
f = 1MHz
0.9
0.8
1,000
C iss
0.7
0.6
0.5
I D = -1mA
100
10
C oss
C rss
0.4
0.3
0.2
I D = -250μA
0
4
8 12 16
20
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical Capacitance
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMS2220LFW
Document number: DS31547 Rev. 8 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2009
? Diodes Incorporated
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